RF GaN（ラジオ周波数ガリウムナイトライド）の世界市場（2025年～2033年）：用途別（軍事通信インフラ（バックホール、RRH、マッシブMIMO、スモールセル、衛星通信、有線ブロードバンド、商業用レーダー＆航空電子機器、RFエネルギー、その他）、材料種類別（GaN-on-Si、GaN-on-SiC、その他）、地域別

• 英文タイトル：RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Market Size, Share & Trends Analysis Report By Application (Military Telecom Infrastructure (Backhaul, RRH, Massive MIMO, Small Cells), Satellite Communication, Wired Broadband, Commercial Radar and Avionics, RF Energy, Other Applications), By Material Type (GaN-on-Si, GaN-on-SiC, Other Material Types (GaN-on-GaN, GaN-on-Diamond)) and By Region(North America, Europe, APAC, Middle East and Africa, LATAM) Forecasts, 2025-2033

• レポートコード：SRSE3254DR • 出版社/出版日：Straits Research / 2025年1月 • レポート形態：英文、PDF、約120ページ • 納品方法：Eメール（受注後2-3日） • 産業分類：材料

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レポート概要

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世界のRF GaN（高周波ガリウムナイトライド）市場規模は、2024年に16億8,000万米ドルと評価され、2025年に20億米ドルから2033年までに82億2,000万米ドルに達し、予測期間（2025年~2033年）において19.3%のCAGRで成長すると予想されています。
GaNトランジスタは、優れた周波数特性により、無線アプリケーションへの採用が進んでいます。データ伝送速度の継続的な向上に対応するため、生産性向上と帯域幅の拡大が求められており、RF GaNは無線インフラに不可欠です。RF GaN市場は、5G技術の利用拡大と無線通信の改善により、大幅な影響を受けると予想されます。GaNパワートランジスタの普及が進むことは、通信機器メーカーにとっても有利な要因となる可能性があります。GaN技術への大規模な投資の増加により、RF GaN市場は複数の産業で著しい成長を遂げています。GaNは、ガリウムナイトライド（GaN）技術の継続的な進展により、レーダー、フェーズドアレイ、ケーブルテレビ（CATV）用の基地局トランシーバー、防衛通信など、より高度なアプリケーションで高い周波数を実現可能です。

レポート目次

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RF GaN（高周波ガリウムナイトライド）市場成長要因

通信インフラからの強い需要

通信業界は、世界的なデジタル化の主要な推進力として、また市場環境の大規模な変化を経験する業界として、デジタル変革技術の主要な採用分野とされています。通信業界が相互運用性と技術への投資を強化したことで、グローバル経済における資本の流れと情報の流通にパラダイムシフトがもたらされ、業界横断的な新たなビジネスモデルの基盤が築かれました。

GaN RF技術は、高周波データ帯域幅を備えた接続を提供できるため、ネットワークサービスプロバイダーの優先選択肢として急速に普及しています。これらのデバイスは、他の周波数帯からの干渉を防止することで、必要な周波数帯で最大周波数を生成します。GaN RFパワーデバイスは、ユーザーが高品質なメディアコンテンツ（音楽や写真など）のアップロード/ダウンロード、オンラインゲームプレイ、オンラインTV番組視聴を最大周波数帯で可能にし、現在のモバイルデバイスの利用拡大が予想されます。これにより、通信業界からの強い需要が市場成長を牽引しています。

高性能と小型化といった有利な特性が軍事分野での採用を促進

開発途上国と先進国における防衛予算の継続的な増加、および国家・国際的な武装勢力における技術的に高度な製品の需要が、グローバル市場の成長をさらに加速すると予想されます。ストックホルム国際平和研究所（SIPRI）によると、2019年の世界軍事支出は2018年の1,855億ドル、2017年の1,807億ドル、2016年の1,785億ドルから増加し、1,922億ドルに達しました。さらに、軍事用無線周波数およびマイクロ波製品は、フェーズドアレイシステムやその他の複雑な応用技術における技術革新がこれらの部品に大きく依存しているため、需要が拡大すると予想されています。

GaNの採用は過去数年間で著しく進展し、レーダー、衛星通信、対IEDジャマーなど、複数の軍事応用分野で数千台のデバイスが開発・実装されています。高周波、広帯域、高出力の能力に加え、高温動作が可能なGaNデバイスは、軍事用途に最適な素材となっています。これらの特性により、GaNは戦略的軍事材料として位置付けられています。GaNを活用して紫色、青色、緑色、白色発光ダイオードを開発するための技術革新が進み、材料の品質向上にも寄与しています。これにより、レーダー技術におけるGaNの活用がさらに拡大する見込みです。これらの要因がセグメントの成長を後押ししています。

市場制約

コストと運用上の課題

GaNの材料固有の利点には、エピタキシーのコストと最適化、デバイス加工とパッケージングの最適化といった製造上の課題が伴います。その他の課題には、これらのデバイスの採用拡大のため解決が必要な電荷トラップと電流崩壊が含まれます。RF GaNベースのデバイス（性能と収率）において著しい改善が実現したものの、ガリウム窒化物（GaN）をシリコンカーバイド（SiC）上に形成したGaN-on-SiCは、無線通信基地局やCATVなどの主流アプリケーションへの採用を妨げる障壁が依然として存在しています。3.5GHz未満のアプリケーションでは、これらのGaN-on-SiCはSi-LDMOSと比較してコスト効率が十分ではなく、主に市場浸透率が低い原因となっています。

コスト以外にも、RF GaNにはいくつかの課題があります。このGaNデバイスの特性評価は、設計者が回路シミュレーションを行うための予測可能なトランジスタモデルを提供するため、主に必要とされています。これにより、現在の通信システムで用いられている高効率・高線形性パワーアンプに必要なインピーダンスマッチング回路やバイアス回路を開発することが可能になります。これらの要因が市場成長を妨げています。

市場機会

5Gネットワークの採用

5Gの採用は、本調査対象市場における転換点と広く見られています。5Gネットワークは新しい高周波数帯域で動作するため、RFデバイスに新たな基盤技術と性能基準が求められます。第5世代モバイルネットワークは、4G機器に比べて低遅延と低消費電力を主な目標とし、IoTの実現を大幅に促進します。複数の通信大手企業（例：AT&T）が5Gネットワークと高速サービスへの移行を進めているため、RFパワーアンプ製品は新たな強力な収益源となっています。複数のRFパワーアンプメーカーは既に、5G対応RFソリューションの生産を開始しており、これらは5Gネットワークの成長を強力に支援するでしょう。

レーダーと通信技術は、防衛と商業アプリケーションにおいて極めて重要です。ガリウムナイトライド（GaN）ベースのRFソリューションは、競合技術に比べてはるかに小型のフォームファクターで、より高い出力動作と効率向上を実現し、高性能レーダーと通信システムの性能向上を可能にしています。5Gはこれまで以上に急速に普及しており、RF性能と技術革新を促進しています。上記の要因すべてが市場成長を後押ししています。

地域別分析

アジア太平洋地域：主要地域

アジア太平洋地域は市場を支配しており、予測期間中に19.3%の年平均成長率（CAGR）を記録すると推定されています。中国、日本、台湾、韓国は、世界全体のディスクリート半導体市場の約65%を占めています。タイ、ベトナム、マレーシア、シンガポールなどの他の国々も、アジア太平洋地域の市場優位性に大きく貢献しています。軍事分野では、航空機搭載レーダーにおけるT/Rシステムの増加により、GaNデバイスが大型のトラベルリング波管（TWT）ベースのシステムを置き換えており、防衛がGaN市場の主要な成長要因の一つとして継続すると予想されます。ストックホルム国際平和研究所（SIPRI）によると、2019年に世界最大の軍事支出国は中国で、インドが第2位でした。中国の軍事支出は2019年にUSD 261億ドルに達し、2018年から5.1%増加しました。一方、インドの支出は6.8%増加しUSD 71.1億ドルとなりました。このような動向は、地域内の市場成長を後押しする可能性があります。

北米：成長地域

北米は第2位の地域です。2030年までにUSD 450億ドルに達すると予測されており、予測期間中に年平均成長率（CAGR）18%を記録する見込みです。北米で半導体製造、設計、研究に従事する人々は、新技術の導入に最も早い段階で取り組んでいます。北米のRF GaN市場の成長は、通信、航空宇宙・防衛、消費者電子機器などの最終ユーザー業界の成長と密接に関連しています。政府の戦略は市場拡大を後押しする可能性があります。例えば、米国政府は2020年11月、Qorvoをパートナーに選び、最先端（SOTA）の異種統合パッケージング（SHIP）RF生産・プロトタイピングセンターを建設することを決定しました。SHIPプログラムは、次世代RFコンポーネントの設計、検証、組み立て、テスト、製造を必要とする米国防産業の請負業者と商業顧客が、マイクロエレクトロニクスパッケージングにおけるリーダーシップと専門知識にアクセスできるようにします。

欧州は第3位の地域です。欧州地域は世界有数のテクノロジーハブを擁し、現代技術の主要な推進役兼採用者です。市場は、地域内の多様なセクターにおける現代技術と半導体の使用増加により拡大しています。同地域のRF GaN技術は、多額の資金調達を受けています。例えば、Cambridge GaN Devices（CGD）は2020年6月、インテリジェントGaNパワーモジュールの開発に向けた1,030万ユーロのイニシアチブを発表しました。これはPentaイニシアチブの一環であり、Infineonはイギリス、ドイツ、オランダの学術機関や企業と共同で参画しています。Pentaプロジェクトは、CGDに最先端のパワーエレクトロニクス企業との協業機会を提供します。このような動向と地域の継続的な活動が、市場の拡大を後押ししています。

用途別

グローバルなRF GaN（ラジオ周波数ガリウムナイトライド）市場は、軍事、テレコムインフラ（バックホール、RRH、マッシブMIMO、スモールセル）、有線ブロードバンド、衛星通信、商業用レーダーおよびアビオニクス、RFエネルギー、その他の用途に分類されます。軍事分野が市場を支配しており、予測期間中に年平均成長率（CAGR）22.7%で成長すると推定されています。防衛装備の近代化により、高出力半導体デバイスの需要が増加しています。また、高出力アプリケーションの需要拡大により、防衛分野における高周波数の需要も増加しています。これにより、市場に複数の成長機会が生まれています。防衛アプリケーションでは、古い真空管設計を固体技術に置き換える必要性から、高周波数要件を満たすRF GaNパワーデバイスの採用が拡大しています。RFパワー市場の需要は、レーダーや電子戦システムにECM（電気化学加工）機能を提供するデバイス基盤としてGaNの採用拡大にも後押しされています。特に、部隊保護用の地上ベースRFジャマーにおいてこの傾向が顕著です。軍事分野では、軍事レーダーや電子戦システム設計において、横方向拡散型MOSFET（LDMOS）コンポーネントの代替または置き換えとしてRF GaNが採用されています。予測期間中、この傾向が市場拡大を加速すると見込まれています。

通信インフラセグメントは第2位の規模です。さらに、5G技術は、多様なブロードバンドサービス分野を革命化し、異なるエンドユーザーセグメント間の接続性を強化すると予想されています。市場シェア拡大の主な要因は、モバイル契約の増加、オンライン動画コンテンツのストリーミング、5Gインフラの強化、および5Gを活用した多様なIoTアプリケーションです。5Gは、多様なシナリオにおいて、さまざまなサービスと関連するサービス要件をサポートすると予想されています。5Gの導入により、RFソリューションの密度が指数関数的に増加しました。これにより、エネルギー消費の削減が不可欠となっています。GaNパワートランジスタは、5Gの基地局技術における主要なコンポーネントとなり、最高の性能を提供しています。半導体内の電子の捕捉を向上させるため、NXPはGaN技術を改良し、主に強い線形性と低いメモリー効果を保証するようにしました。同様の投資と拡張が、本調査対象市場の成長を加速すると予想されています。

2019年のグローバルな5Gモバイル契約数は0.42百万件と推計され、2022年までに4億件に達すると予測されています。グローバルな5G技術の導入拡大に伴い、RF GaN技術への需要が増加すると見込まれています。

材料タイプ別

グローバルなRF GaN（ラジオ周波数ガリウムナイトライド）市場は、GaN-on-Si、GaN-on-SiC、その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）に分類されます。GaN-on-Siセグメントが市場を支配しており、予測期間中に17.6%の年平均成長率（CAGR）を記録すると推定されています。GaN-on-Siデバイスの主な応用分野には、基地局と通信、防衛と航空宇宙、衛星通信などが挙げられます。さらに、これらのデバイスはLEDやパワーエレクトロニクスにも広く採用されています。従来、基地局では、横方向拡散金属酸化物半導体（LDMOS）（平面二重拡散MOSFET技術）ベースのRFパワーアンプ（PA）デバイスが使用されてきました。しかし、過去数年間で、RF GaNデバイスが基地局におけるLDMOSデバイスを置き換えてきました。LDMOSは依然として基地局用パワーアンプ市場の大きなシェアを占めていますが、GaNは5Gの周波数帯域が上昇するにつれ、より高い成長率を示し、普及が進むと予想されています。150mmウェハ直径のGaN-on-Siは既に多様な最終用途に採用されていますが、200mm直径のGaN-on-Siウェハは製造分野の主要企業によって開発が進められています。このような主要な動向は、予測期間中に市場の成長を継続的に牽引すると予想されます。

RF GaN（ラジオ周波数ガリウムナイトライド）市場における主要企業一覧

1. RFHIC Corporation
2. Aethercomm Inc.
3. Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)
4. Integra Technologies Inc.
5. Mitsubishi Electric Corporation
6. NXP Semiconductors NV
7. Qorvo Inc.
8. Analog Devices Inc.
9. Microsemi Corporation (Microchip Technology Incorporated)
10. Sumitomo Electric Device Innovations Inc.
11. STMicroelectronics NV
12. HRL Laboratories
13. MACOM Technology Solutions Holdings Inc.
14. Raytheon Technologies
15. Mercury SystemsInc.

RF GaN（高周波ガリウムナイトライド）市場セグメンテーション

用途別（2021年~2033年

• 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、マッシブMIMO、スモールセル）
• 衛星通信
• 有線ブロードバンド
• 商業用レーダーおよび航空電子機器
• RFエネルギー
• その他の用途

材料タイプ別（2021年~2033年

• GaN-on-Si
• GaN-on-SiC
• その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-ダイヤモンド）

目次

1. ESGの動向
2. 免責事項

概要

調査範囲とセグメンテーション

市場機会評価

市場動向

市場評価

規制の枠組み

グローバルRF GaN（高周波ガリウムナイトライド）市場規模分析

1. グローバルRF GaN（高周波ガリウムナイトライド）市場概要
2. 用途別
   1. 概要
      1. 用途別（金額ベース）
   2. 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、マッシブMIMO、スモールセル）
      1. 価値別
   3. 衛星通信
      1. 価値別
   4. 有線ブロードバンド
      1. 価値別
   5. 商業用レーダーおよび航空電子機器
      1. 価値別
   6. RFエネルギー
      1. 価値別
   7. その他のアプリケーション
      1. 価値別
3. 材料タイプ別
   1. 概要
      1. 材料タイプ価値別
   2. GaN-on-Si
      1. 価値
   3. GaN-on-SiC
      1. 価値
   4. その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-ダイヤモンド）
      1. 価値

北米市場分析

欧州市場分析

APAC市場分析

中東・アフリカ市場分析

LATAM市場分析

競争環境

市場プレイヤー評価

研究方法論

付録

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