IGBTとスーパージャンクションMOSFETの市場展望（2023～2033年）

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IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場規模は、2022年に約40億米ドルに達した。IGBTとスーパージャンクションMOSFET全体の売上高は、2033年まで年平均成長率17.2%で増加する。

IGBTとスーパージャンクションMOSFETの合計市場評価額は、2033年までに193億米ドルに達する。IGBTは用途が広いため、特に需要が高い。IGBTセグメントは、2023年から2033年にかけて年平均成長率17.1％で拡大すると予測されている。

UPS、風力タービン、PVインバータやソーラー・インバータへの応用が増加しており、市場を牽引している。このほか、電気自動車、充電器、照明での用途拡大がIGBTとスーパージャンクションの売上を押し上げるだろう。

IGBTとスーパージャンクションMOSFETの売上を押し上げる自動スイッチングデバイスとモジュールの需要の急増
風力や太陽光といった再生可能エネルギーへのシフトが需要を押し上げる
電力損失を抑制するためのグリーン・イニシアチブの高まりは、市場にとって好材料となるだろう。
電気機器と機械の重要性の高まりが市場発展を促進する
電気自動車への急速な移行がIGBTとスーパージャンクションMOSFETの需要を高める
IGBTとMOSFETは、最も一般的な2種類のトランジスタである。これらのトランジスタは電圧制御デバイスである。現代の電子回路の基本構成要素となっている。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は3端子半導体デバイスで、多くの電子回路で信号のスイッチングや増幅に使用されている。IGBTは高効率と高速スイッチングを兼ね備えています。

IGBTは、バイポーラ・トランジスタとMOSFETの利点を併せ持っています。これは、高電圧駆動と高入力インピーダンスの両方を提供できることに起因する。

一方、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）は、電子回路で信号の切り替えや増幅に使われる4端子の半導体スイッチング素子である。

IGBTとスーパージャンクションMOSFETはいずれも、家電、エネルギー分野、産業技術で広く使用されている。スーパージャンクションMOSFETは、高電圧スイッチング・コンバータでは業界の標準となっている。これは、任意の周波数でより効率的なスイッチングを可能にするためです。

民生用電子機器、UPS、充電器などの需要の増加が、世界のIGBTとSJMOSFET市場を押し上げると予想されている。これは、これらの製品で高効率トランジスタの使用が増加しているためである。

より高いエネルギー効率への注目の高まりは、IGBTとSJMOSFETの需要を促進する上で重要な役割を果たすだろう。その後、エネルギー効率の高い電気システムへの需要が増加し、市場にとって好材料となる。

再生可能エネルギーへの急速なシフトが、2033年までIGBTとスーパーMOSFETの売上を押し上げる。エネルギーへの関心が高まる中、太陽光発電インバータやソーラー・インバータといったデバイスの需要が劇的に高まると推定されている。これは、IGBTおよびスーパージャンクションMOSFETメーカーに有利な成長機会をもたらすだろう。

IGBTとスーパージャンクションMOSFETの売上を促進すると予想されるもう一つの重要な要因は、電気自動車とハイブリッド車の開発と普及である。

自動車の電動化は、パワー半導体に対する莫大な需要を生み出している。国際エネルギー機関（IEA）によると、2021年末には世界の道路を約1,650万台の電気自動車が走っている。したがって、電気自動車の生産と販売の増加は、最終的に市場の成長見通しを生み出すだろう。

現在、IGBTとSJMOSFETの世界市場は、北米が14.3億米ドルの評価額で支配している。2033年までに北米市場は69.7億米ドルになると予測されている。

2018年から2022年までの世界のIGBTとスーパージャンクションMOSFETの販売展望と2023年から2033年までの需要予測との比較
Persistence Market Research（PMR）によると、IGBTとスーパージャンクションMOSFETの売上高は2018年から2022年にかけて年平均成長率約21.0％で増加した。今後10年間、世界市場はCAGR 17.2%で拡大する。2033年までに、同市場は絶対額で153億米ドルの機会を創出すると予測されている。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、UPS、風力タービン、民生用アプリケーション、PVインバータ、EV/HEVなどのアプリケーションで使用されている。

無停電電源装置（UPS）において、1200V/100A仕様のIGBTのオン抵抗は、同仕様のパワーMOSFETの1/10である。スイッチング時間も同仕様のGTRの1/10です。

これらの利点により、IGBTはUPSに広く使用されている。さらに、高電圧や大電流といった特性により、IGBTはIH調理器やモーター駆動システムのスイッチング・デバイスとして使用されている。このような機器への応用により、IGBTの需要は今後10年間で急速に増加すると予想される。

スーパージャンクションMOSFETは、バッテリー充電アプリケーションで主に使用されている。例えば、インフィニオン・テクノロジーズはCoolMOS P7スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発した。これはICC80QSGに組み込まれ、130W出力で動作するパワー設計に使用される。

これらのSJMOSFETはハイパワーエレクトロニクス設計に使用される。また、電気自動車の充電器にも応用されています。また、ソーラー・マイクロインバータ、照明、アダプターにも使用できます。

国別の洞察
米国はIGBTとジャンクションMOSFETの世界市場を支配し続けるか？

米国のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場は、2033年までに54億米ドルの評価を達成する。全体的なIGBTとジャンクションMOSFETの売上は、15.9%のCAGRで増加すると予測されている。これは、2033年までに42億米ドルの絶対的な機会を創出する。

米国のIGBTとスーパージャンクションMOSFET需要は2018年から2022年にかけて年平均成長率19.3%で成長。民生/家庭用電化製品の採用増加が米国市場を牽引する主要因である。

風力発電プロジェクトへの投資の増加と、エネルギー効率向上への関心の高まりが、IGBTとスーパージャンクションMOSFETの需要を押し上げるだろう。

これに加えて、大手IGBTメーカーやスーパージャンクションMOSFETメーカーの存在感が大きく、米国市場の拡大に貢献している。米国を拠点とするさまざまな企業が、エンドユーザーの需要に応える高度なソリューションを開発している。

例えば、2022年2月、米国に本社を置く半導体製造会社ヴィシェイ・インターテクノロジー社は、スーパージャンクションMOSFETを発売した。この新製品は高効率を実現し、電気通信やサーバーに使用できる。SIHK045N60E と名付けられた。

英国がIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場で有利なのはなぜか？

英国の IGBT と SJMOSFET 市場は、2033 年までに10 億米ドルに達する。同国のIGBTとスーパージャンクションMOSFETの売上は、年平均成長率16.2%で急増する。

2018年から2022年にかけて、英国市場は年平均成長率19.6％で拡大した。しかし、今後10年間で、同市場は7億5,210万米ドルの絶対的な機会創出が見込まれる。

自動車産業における電動化の急速な浸透とインバーターへの高い需要が、イギリス市場を牽引する主な要因である。続いて、先進的なソリューションを提供する大手企業の存在感の高さが市場を後押しする。

英国を拠点とする電子部品サプライヤー、ファーネルUKは、IGBTモジュールとSJMOSFETを世界中に供給している。こうした英国を拠点とする企業が市場の拡大を支えている。

なぜ日本でIGBTとSJMOSFETの需要が急増しているのか？

日本のIGBTとスーパージャンクションMOSFET需要は2033年まで年平均成長率16.5%で増加する。PMRは、日本のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場全体が2033年までに15億米ドルになると予測している。

日本市場は、2033年までに12億米ドルの絶対的な機会創出が見込まれる。歴史的に、日本の市場は2018年から2022年までCAGR 20.1%で拡大した。電気自動車の生産と販売の増加は、日本におけるIGBTとスーパージャンクションMOSFETの需要を高めると予測される。

日本のIGBTおよびスーパージャンクションMOSFETメーカー数社は、エンドユーザーの需要を満たすため、斬新な製品を発表している。例えば、2021年3月、日本の大手半導体メーカーである株式会社東芝は、TK090U65Z、TK190U、TK155U65Zと名付けられたスーパージャンクションMOSFETを発売した。

この新しいMOSFETは、製品シリーズDTMOSVIの一部である。このMOSFETは、太陽光発電パワーコンディショナ、データセンター、多くの産業用アプリケーションなどで使用されることが期待されている。

カテゴリー別の洞察
市場で最も注目されている製品タイプは？

Persistence Market Researchによると、IGBTは依然として需要の高い製品タイプである。対象セグメントは予測期間中にCAGR 17.1%で上昇する。2018年から2022年にかけて、IGBT需要はCAGR 20.9%で成長した。

小型から大型のモーター駆動用インバーター回路のスイッチング・デバイスとしてIGBTの使用が増加していることが、ターゲット・セグメントの成長を牽引している。

IGBTは冷蔵庫、エアコン、その他の機器に使用されている。これらの機器の生産と販売の増加は、2033年までIGBTの売上を押し上げるだろう。

IGBTとスーパージャンクションMOSFETのトップアプリケーションは？

IGBTとスーパージャンクションMOSFETのUPSと風力タービンへの採用は依然として高い。2033年まで、この2つの分野が合計して市場で大きなシェアを占めると予想される。

産業、商業、住宅分野でUPSの採用が増加し、IGBTとスーパージャンクションMOSFETの需要が高まる。同様に、風力エネルギーへの投資の増加がIGBTとスーパージャンクションMOSFETの売上を押し上げる。

大手企業はシェアを拡大するため、用途に特化した製品を投入している。例えば、日本の電気機器メーカーである富士電機は、AC/DCコンバーターなどの変換回路に使用されるIGBTを製造している。

競争環境：
IGBTとスーパージャンクションMOSFETの主要メーカーには、株式会社東芝、三菱電機株式会社、Semikron Elektronik GmbH & Co.KG、富士電機 STMicroelectronics N.V.、日立パワーデバイス、Vishay Intertechnology Inc.Ltd.、Vishay Intertechnology Inc.、Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.、Infineon Technologies AG、Onsemi、ABB Ltd.などがある。

研究開発への投資と新製品の発売は、主要企業が採用する主要戦略である。このほか、合併、提携、協力関係もこの市場では一般的である。

最近の動向

2021年2 月、ディスクリートパッケージの650V CoolSiCハイブリッドIGBTポートフォリオがInfineon Technologies AGから発売された。
IGBTやMOSFETを生産する日本の電気機器メーカー、富士電機は2020年11月、XシリーズのIGBTモジュールを搭載した高出力ネクストコアの量産を開始したと発表した。このIGBTは、鉄道輸送の省エネに使われることが期待されている。
2022年12月 、ドイツに本社を置く半導体製造会社インフィニオン・テクノロジーズは 、300mmシリコンウエハー上で1700Vで動作するIGBTパワートランジスタを製造するプロジェクト（ ）を完了したと発表した。このプロジェクトはPower2Powerと名付けられ、プロジェクト費用は8,063万米ドルであった。
2022年11 月、ドイツに本社を置く半導体製造大手インフィニオン・テクノロジーズは 、1500Vインバーター用のシングルIGBTパワーモジュールを開発した。製品名はEasyPACK 4B。

IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場セグメンテーション：
製品タイプ別：

IGBT
ディスクリートIGBT
IGBTモジュール
SJMOSFET
ディスクリート超接合MOSFET
スーパージャンクションMOSFETモジュール
アプリケーション別：

IGBT
UPS
風力タービン
PVインバータ
鉄道車両用
民生用アプリケーション
EV/HEV
SJMOSFET
UPS
風力タービン
PVインバータ
鉄道車両用
民生用アプリケーション
EV/HEV
モーター・ドライブ
産業用アプリケーション
コンバーター/アダプター/充電器
照明
その他（サーバー、ネットワーク機器など）
地域別

北米
ヨーロッパ
アジア太平洋
ラテンアメリカ
中東・アフリカ

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1.要旨

1.1.世界市場の展望

1.2.需要サイドの動向

1.3.供給サイドの動向

1.4.技術ロードマップ分析

1.5.分析と提言

2.市場概要

2.1.市場範囲／分類

2.2.市場の定義／範囲／制限

3.市場の背景

3.1.市場ダイナミクス

3.1.1.ドライバー

3.1.2.制約事項

3.1.3.機会

3.1.4.トレンド

3.2.シナリオ予想

3.2.1.楽観シナリオにおける需要

3.2.2.可能性の高いシナリオにおける需要

3.2.3.保守的シナリオにおける需要

3.3.機会マップ分析

3.4.製品ライフサイクル分析

3.5.サプライチェーン分析

3.5.1.供給側の参加者とその役割

3.5.1.1.生産者

3.5.1.2.中堅参加者（トレーダー／代理店／ブローカー）

3.5.1.3.卸売業者および販売業者

3.5.2.サプライチェーンのノードにおける付加価値と創出価値

3.5.3.原材料サプライヤーリスト

3.5.4.既存バイヤーと潜在的バイヤーのリスト

3.6.投資可能性マトリックス

3.7.バリューチェーン分析

3.7.1.利益率分析

3.7.2.卸売業者と販売業者

3.7.3.小売業者

3.8.PESTLE分析とポーター分析

3.9.規制の状況

3.9.1.主要地域別

3.9.2.主要国別

3.10.地域別親会社市場の展望

3.11.生産と消費の統計

3.12.輸出入統計

4.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場分析2018～2022年と予測2023～2033年

4.1.2018年から2022年までの過去の市場規模金額（10億米ドル）と数量（台数）分析

4.2.2023年から2033年までの市場規模（億米ドル）と数量（台数）の現状と将来予測

4.2.1.前年比成長トレンド分析

4.2.2.絶対価格機会分析

5.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場：製品タイプ別2018～2022年分析と2023～2033年予測

5.1.はじめに／主な調査結果

5.2.2018年から2022年までの製品タイプ別過去市場規模金額（億米ドル）＆数量（台）分析

5.3.2023～2033年の製品タイプ別市場規模（億米ドル）・数量（台）の現状と将来分析・予測

5.3.1.IGBT

5.3.1.1.ディスクリートIGBT

5.3.1.2.IGBTモジュール

5.3.2.SJMOSFET

5.3.2.1.ディスクリート超接合MOSFET

5.3.2.2.スーパージャンクションMOSFETモジュール

5.4.製品タイプ別前年比成長トレンド分析（2018～2022年

5.5.製品タイプ別絶対価格機会分析、2023～2033年

6.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場分析2018～2022年と予測2023～2033年、用途別

6.1.はじめに／主な調査結果

6.2.2018年から2022年までのアプリケーション別過去市場規模金額（億米ドル）＆数量（台）分析

6.3.用途別市場規模（億米ドル）・数量（台）の現在と将来分析・予測（2023～2033年

6.3.1.IGBT

6.3.1.1.UPS

6.3.1.2.風力タービン

6.3.1.3.PVインバーター

6.3.1.4.レール牽引

6.3.1.5.消費者向けアプリケーション

6.3.1.6.EV/HEV

6.3.2.SJMOSFET

6.3.2.1.UPS

6.3.2.2.風力タービン

6.3.2.3.PVインバーター

6.3.2.4.レール牽引

6.3.2.5.消費者向けアプリケーション

6.3.2.6.EV/HEV

6.3.2.7.モータードライブ

6.3.2.8.産業用途

6.3.2.9.コンバーター/アダプター/充電器

6.3.2.10.照明

6.3.2.11.その他（サーバー、ネットワーク機器など）

6.4.用途別前年比成長トレンド分析（2018～2022年

6.5.用途別絶対価格機会分析（2023～2033年

7.IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場分析2018～2022年、地域別予測2023～2033年

7.1.はじめに

7.2.2018年から2022年までの地域別過去市場規模金額（億米ドル）＆数量（台）分析

7.3.地域別市場規模（億米ドル）・数量（台数）の現状分析と予測（2023～2033年

7.3.1.北米

7.3.2.ラテンアメリカ

7.3.3.ヨーロッパ

7.3.4.アジア太平洋

7.3.5.中東・アフリカ

7.4.地域別市場魅力度分析

8.北米のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場：2018～2022年分析と2023～2033年予測（国別

8.1.2018年から2022年までの市場分類別過去市場規模金額（億米ドル）・数量（台）動向分析

8.2.市場分類別市場規模（億米ドル）・数量（台）予測、2023～2033年

8.2.1.国別

8.2.1.1.アメリカ

8.2.1.2.カナダ

8.2.2.製品タイプ別

8.2.3.アプリケーション別

8.3.市場魅力度分析

8.3.1.国別

8.3.2.製品タイプ別

8.3.3.アプリケーション別

8.4.要点

9.ラテンアメリカのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場：国別2018～2022年分析と2023～2033年予測

9.1.2018年から2022年までの市場分類別過去市場規模金額（億米ドル）＆数量（台）動向分析

9.2.市場分類別市場規模（億米ドル）・数量（台）予測、2023～2033年

9.2.1.国別

9.2.1.1.ブラジル

9.2.1.2.メキシコ

9.2.1.3.その他のラテンアメリカ

9.2.2.製品タイプ別

9.2.3.アプリケーション別

9.3.市場魅力度分析

9.3.1.国別

9.3.2.製品タイプ別

9.3.3.アプリケーション別

9.4.要点

10.欧州のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場の国別分析2018～2022年と予測2023～2033年

10.1.2018年から2022年までの市場分類別過去市場規模金額（億米ドル）＆数量（台）動向分析

10.2.市場分類別市場規模（億米ドル）・数量（台）予測、2023～2033年

10.2.1.国別

10.2.1.1.ドイツ

10.2.1.2.イギリス

10.2.1.3.フランス

10.2.1.4.スペイン

10.2.1.5.イタリア

10.2.1.6.その他のヨーロッパ

10.2.2.製品タイプ別

10.2.3.アプリケーション別

10.3.市場魅力度分析

10.3.1.国別

10.3.2.製品タイプ別

10.3.3.アプリケーション別

10.4.キーポイント

11.アジア太平洋地域のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場の国別分析2018～2022年と予測2023～2033年

11.1.2018年から2022年までの市場分類別過去市場規模金額（億米ドル）＆数量（台）動向分析

11.2.市場分類別市場規模（億米ドル）・数量（台）予測、2023～2033年

11.2.1.国別

11.2.1.1.中国

11.2.1.2.日本

11.2.1.3.韓国

11.2.1.4.シンガポール

11.2.1.5.タイ

11.2.1.6.インドネシア

11.2.1.7.オーストラリア

11.2.1.8.ニュージーランド

11.2.1.9.その他のアジア太平洋地域

11.2.2.製品タイプ別

11.2.3.アプリケーション別

11.3.市場魅力度分析

11.3.1.国別

11.3.2.製品タイプ別

11.3.3.アプリケーション別

11.4.主要項目

12.中東・アフリカのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場：2018～2022年分析と2023～2033年予測（国別

12.1.2018年から2022年までの市場分類別過去市場規模金額（億米ドル）＆数量（台数）動向分析

12.2.市場分類別市場規模（億米ドル）・数量（台）予測、2023～2033年

12.2.1.国別

12.2.1.1.GCC諸国

12.2.1.2.南アフリカ

12.2.1.3.イスラエル

12.2.1.4.その他の中東・アフリカ

12.2.2.製品タイプ別

12.2.3.アプリケーション別

12.3.市場魅力度分析

12.3.1.国別

12.3.2. 製品タイプ別

12.3.3. 用途別

12.4 重要なポイント

13.主要国のIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場分析

13.1. 米国

13.1.1. 価格分析

13.1.2. 市場シェア分析（2023年

13.1.2.1.製品タイプ別

13.1.2.2. 用途別

13.2. カナダ

13.2.1.価格分析

13.2.2. 市場シェア分析（2023年

13.2.2.1.製品タイプ別

13.2.2.2. 用途別

13.3. ブラジル

13.3.1. 価格分析

13.3.2. 市場シェア分析（2023年

13.3.2.1.製品タイプ別

13.3.2.2. 用途別

13.4. メキシコ

13.4.1. 価格分析

13.4.2.市場シェア分析、2023年

13.4.2.1.製品タイプ別

13.4.2.2. 用途別

13.5.ドイツ

13.5.1. 価格分析

13.5.2. 市場シェア分析（2023年

13.5.2.1.製品タイプ別

13.5.2.2. 用途別

13.6.イギリス

13.6.1. 価格分析

13.6.2. 市場シェア分析（2023年

13.6.2.1.製品タイプ別

13.6.2.2. 用途別

13.7. フランス

13.7.1. 価格分析

13.7.2. 市場シェア分析（2023年

13.7.2.1.製品タイプ別

13.7.2.2. 用途別

13.8. スペイン

13.8.1. 価格分析

13.8.2. 市場シェア分析（2023年

13.8.2.1.製品タイプ別

13.8.2.2. 用途別

13.9. イタリア

13.9.1. 価格分析

13.9.2. 市場シェア分析（2023年

13.9.2.1.製品タイプ別

13.9.2.2. 用途別

13.10.中国

13.10.1. 価格分析

13.10.2. 市場シェア分析（2023年

13.10.2.1.製品タイプ別

13.10.2.2. 用途別

13.11. 日本

13.11.1. 価格分析

13.11.2. 市場シェア分析（2023年

13.11.2.1.製品タイプ別

13.11.2.2. 用途別

13.12.韓国

13.12.1. 価格分析

13.12.2. 市場シェア分析（2023年

13.12.2.1.製品タイプ別

13.12.2.2. 用途別

13.13.シンガポール

13.13.1. 価格分析

13.13.2. 市場シェア分析（2023年

13.13.2.1.製品タイプ別

13.13.2.2. 用途別

13.14.タイ

13.14.1. 価格分析

13.14.2. 市場シェア分析（2023年

13.14.2.1.製品タイプ別

13.14.2.2. 用途別

13.15.インドネシア

13.15.1. 価格分析

13.15.2. 市場シェア分析（2023年

13.15.2.1.製品タイプ別

13.15.2.2. 用途別

13.16.オーストラリア

13.16.1. 価格分析

13.16.2. 市場シェア分析（2023年

13.16.2.1.製品タイプ別

13.16.2.2. 用途別

13.17.ニュージーランド

13.17.1. 価格分析

13.17.2.市場シェア分析、2023年

13.17.2.1.製品タイプ別

13.17.2.2.申請方法

13.18.GCC諸国

13.18.1.価格分析

13.18.2.市場シェア分析、2023年

13.18.2.1.製品タイプ別

13.18.2.2.申請方法

13.19.南アフリカ

13.19.1.価格分析

13.19.2.市場シェア分析、2023年

13.19.2.1.製品タイプ別

13.19.2.2.申請方法

13.20.イスラエル

13.20.1.価格分析

13.20.2.市場シェア分析、2023年

13.20.2.1.製品タイプ別

13.20.2.2.申請方法

14.市場構造分析

14.1.競技ダッシュボード

14.2.コンペティション・ベンチマーキング

14.3.上位プレイヤーの市場シェア分析

14.3.1.地域別

14.3.2.製品タイプ別

14.3.3.申請方法

15.競合分析

15.1.コンペティションの深層

15.1.1.インフィニオンテクノロジーズAG

15.1.1.1.概要

15.1.1.2.製品ポートフォリオ

15.1.1.3.市場セグメント別収益性

15.1.1.4. セールス・フットプリント

15.1.1.5 戦略の概要

15.1.1.5.1 マーケティング戦略

15.1.1.5.2. 製品戦略

15.1.1.5.3 チャネル戦略

15.1.2.ヴィシェイ・インターテクノロジー社

15.1.2.1.概要

15.1.2.2. 製品ポートフォリオ

市場セグメント別収益性

15.1.2.4.セールスフットプリント

15.1.2.5 戦略の概要

15.1.2.5.1. マーケティング戦略

15.1.2.5.2. 製品戦略

15.1.2.5.3 チャネル戦略

15.1.3.三菱電機株式会社

15.1.3.1 概要

15.1.3.2. 製品ポートフォリオ

市場セグメント別収益性

15.1.3.4. セールス・フットプリント

15.1.3.5 戦略の概要

15.1.3.5.1. マーケティング戦略

15.1.3.5.2. 製品戦略

15.1.3.5.3 チャンネル戦略

15.1.4. STMicroelectronics N.V.

15.1.4.1 概要

15.1.4.2. 製品ポートフォリオ

市場セグメント別収益性

15.1.4.4. セールス・フットプリント

15.1.4.5 戦略の概要

15.1.4.5.1. マーケティング戦略

15.1.4.5.2. 製品戦略

15.1.4.5.3 チャネル戦略

15.1.5 富士電機Ltd.

15.1.5.1 概要

15.1.5.2. 製品ポートフォリオ

市場セグメント別収益性

15.1.5.4. セールス・フットプリント

15.1.5.5. 戦略の概要

15.1.5.5.1. マーケティング戦略

15.1.5.5.2. 製品戦略

15.1.5.5.3 チャネル戦略

15.1.6. 株式会社東芝

15.1.6.1 概要

15.1.6.2. 製品ポートフォリオ

市場セグメント別収益性

15.1.6.4. セールス・フットプリント

15.1.6.5 戦略の概要

15.1.6.5.1. マーケティング戦略

15.1.6.5.2. 製品戦略

15.1.6.5.3 チャンネル戦略

15.1.7.株式会社日立パワーセミコンダクタデバイス

15.1.7.1 概要

15.1.7.2. 製品ポートフォリオ

市場セグメント別収益性

15.1.7.4. セールス・フットプリント

15.1.7.5 戦略の概要

15.1.7.5.1 マーケティング戦略

15.1.7.5.2. 製品戦略

15.1.7.5.3 チャンネル戦略

15.1.8.オンセミ

15.1.8.1 概要

15.1.8.2. 製品ポートフォリオ

市場セグメント別収益性

15.1.8.4. セールス・フットプリント

15.1.8.5 戦略の概要

15.1.8.5.1 マーケティング戦略

15.1.8.5.2. 製品戦略

15.1.8.5.3 チャネル戦略

15.1.9. セミクロン エレクトロニク GmbH & Co.KG

15.1.9.1 概要

15.1.9.2. 製品ポートフォリオ

市場セグメント別収益性

15.1.9.4. セールス・フットプリント

15.1.9.5 戦略の概要

15.1.9.5.1. マーケティング戦略

15.1.9.5.2. 製品戦略

15.1.9.5.3 チャネル戦略

15.1.10.ABB社

15.1.10.1 概要

15.1.10.2.製品ポートフォリオ

15.1.10.3.市場セグメント別収益性

15.1.10.4.セールスフットプリント

15.1.10.5.戦略の概要

15.1.10.5.1.マーケティング戦略

15.1.10.5.2.製品戦略

15.1.10.5.3.チャンネル戦略

16.前提条件と略語

17.研究方法

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