市場調査レポート

ディスクリート半導体の日本市場(2025年~2030年)

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日本ディスクリート半導体市場レポートは、種類(ダイオード、小信号トランジスタ、パワートランジスタ[MOSFETパワートランジスタ、IGBTパワートランジスタ、その他パワートランジスタ]、整流器、サイリスタ)とエンドユーザー業界(自動車、家電、通信、産業、その他エンドユーザー業界)によって区分されています。本レポートでは、上記のすべての区分における市場規模と予測を金額(米ドル)で提供しています。


日本ディスクリート半導体市場分析

日本ディスクリート半導体市場規模は2025年には45億米ドルと推定され、2030年には59億米ドルに達すると予測され、予測期間(2025年~2030年)のCAGRは5.59%と推定される。

ディスクリート半導体は、特に自動車用電子機器、再生可能エネルギーシステム、および家電製品などの技術進歩において重要な役割を果たしています。IoT、電気自動車、スマートデバイスなどの新たなトレンドにより、特殊なディスクリート半導体の需要が高まっています。さらに、これらの半導体のメーカーは世界的に事業を展開しているため、さまざまな通貨で材料の調達や販売を行うことがよくあります。そのため、為替レートの変動は、収益性や競争優位性に大きな影響を与える可能性があります。

  • ディスクリート半導体、またはディスクリート部品またはデバイスは、統合されずに独立して動作する電子回路内で特定の機能を行うように設計された個々の電子部品です。 ディスクリート半導体の一般的な例としては、ダイオード、トランジスタ、サイリスタなどがあります。 これらの部品は通常、回路接続用の2本以上のリード(ピン)を備えたパッケージに収められています。 ディスクリート半導体は、電源やアンプから制御回路や信号処理に至るまで、電子機器の幅広い用途で使用されています。
  • ディスクリート半導体は、柔軟性、カスタマイズ性、優れた電力処理能力など、集積回路にはない多くの利点があります。 設計者は、より高い電圧や電流レベルに対応しながら、回路設計や性能を正確に制御することができます。 しかし、ディスクリート部品は集積回路と比較して、より大きな基板スペースや追加の組み立て工程が必要になる場合があります。
  • さらに、商品価格の変動、特に金属、シリコン、レアアースなどの原材料の価格変動は、ディスクリート半導体の製造コストに直接影響します。これらの変動は利益率に大きな影響を与え、価格戦略の調整が必要となります。
  • ディスクリート半導体においては、効率的な電力管理が重要な推進要因のひとつとなっています。先進的なシステムアーキテクチャは、AC-DC電源アダプタの効率を高めると同時に、サイズと部品点数を削減しています。さらに、最新のPoE(パワー・オーバー・イーサネット)規格は、より高い電力伝送をサポートしており、接続型照明などの革新的なデバイスの開発を促進しています。
  • ウェアラブルデバイスは、その基本的な物理的特性からエンドユーザーの体験に至るまで、消費者の採用を促進する上で極めて重要です。個別半導体企業は、製品設計中の市場動向や課題を注意深く監視することで、競争優位性を維持し、大きな利益を得ることができます。 特にシリコンカーバイド(SiC)などの、移動度と臨界破壊電界が強化された半導体の採用が拡大しています。 この傾向は、特にトランジスタの範囲で顕著であり、ショットキーバリアダイオード(SBD)、接合型電界効果トランジスタ(JFET)、MOSFETトランジスタなどのパワーエレクトロニクスデバイスにまで広がっています。
  • ロシアによるウクライナ侵攻、米中競争、選挙、イスラエルでの戦争など、地政学的な課題は、特に伝統的な産業、防衛、ハイテク分野、航空宇宙、グリーンエネルギーに不可欠な重要な原材料のグローバルなサプライチェーンに大きな影響を与えています。ロシアとウクライナの戦争と景気後退は、半導体業界に大きな混乱をもたらしました。インフレと金利の上昇により、消費支出が減少し、業界の需要が妨げられ、ディスクリート半導体市場の成長が鈍化しました。

日本のディスクリート半導体市場の動向

パワー・トランジスタは大きな市場シェアを維持する見込み

  • MOSFETは、さまざまな用途で電子信号のスイッチングや増幅を主に行う半導体デバイスです。電界効果トランジスタ(FET)の一種であり、電界を利用して2つの端子間の電流の流れを制御する能力で知られています。低電圧で動作し、高速スイッチングと高い効率性を実現します。
  • 従来の電力増幅器では電力損失が発生するため、入力または出力インピーダンス整合回路を内蔵し、出力電力性能が検証済みのRF高出力MOSFETモジュールへの需要が生じている。三菱電機などの主要ベンダーは、来年度中に新型MOSFETを搭載した900MHzモジュールを発売し、周波数帯域を拡大する計画である。同社によると、763MHz~870MHz帯で50Wの出力と40%の総合効率を実現するモデルは、電力消費の削減と無線通信範囲の拡大に役立つと予測されている。
  • エレクトロニクス業界では、スマートフォン、タブレット、ノートパソコン、スマートウェアラブル、IoTデバイスなど、さまざまな電子機器に対する需要が急増している。これらのデバイスには、さまざまな機能に対応するパワートランジスタが必要である。消費者層の拡大と新しい電子機器の継続的な導入が、パワートランジスタの需要を牽引しています。
  • 家電セグメントは、同国の広大な製造業の景観と、ソニーやパナソニックなどの確立された家電企業に支えられ、市場の成長に大きく貢献するでしょう。これは、家電セグメントで使用される電子部品の製造におけるディスクリート半導体の需要を押し上げ、日本市場の成長を促進するでしょう。
  • さらに、2023年には、日本の電子部品・デバイス産業の生産額は約6兆9,700億円(0.497兆米ドル)に達すると、経済産業省(METI)が報告している。この期間における日本の電子産業全体の生産額は、約10兆7,000億円(0.76兆米ドル)に達した。

自動車産業は大幅な市場成長が見込まれる

  • 個別半導体は、個々の電子機能に合わせて調整され、切り離すことができないものであり、車載エレクトロニクスの変革に極めて重要な役割を果たしています。 機能を集約する集積回路(IC)とは異なり、ダイオード、トランジスタ、サイリスタなどの個別半導体は、それぞれが独立して動作し、自動車の機能、安全性、接続性を強化します。 この変化は、自動車の性能と機能の基準を引き上げる技術進歩の新時代を告げるものです。
  • 自動車の需要は主にディスクリート部品、特にパワートランジスタや整流器の市場を牽引しています。 従来の自動車は何十年もの間、12Vのバッテリーシステムに頼ってきましたが、現代の自動車の電子機器の需要の高まりに対応できず、エネルギー効率の高いソリューションの必要性が浮き彫りになっています。
  • 日本政府は2050年までに、日本で新たに販売される自動車をすべて電気自動車またはハイブリッド車にするという目標を設定しています。同国は、電気自動車用のバッテリーやモーターの開発を促進するために、民間企業に補助金を提供することを計画しています。二酸化炭素排出量を削減するために、日本政府は電気自動車(EV)の使用を積極的に推進しており、EVインフラ開発への多額の投資につながっています。EV購入者に対する政府補助金により、日本では電気自動車の増加に伴い、EV充電ステーションの数が急増しています。
  • さらに、日本自動車販売協会連合会および全国軽自動車協会連合会が発表したデータによると、2023年には、標準サイズの電気自動車(EV)が43,991台、日本を代表する軽自動車の電気自動車版が44,544台販売されました。

日本のディスクリート半導体業界の概況

日本のディスクリート半導体市場は統合が進んでおり、STマイクロエレクトロニクス、インフィニオン・テクノロジーズ、NXPセミコンダクターズ、ダイオードズ・インコーポレイテッドなどの大手企業が存在しています。市場参加企業は、戦略的にパートナーシップや買収を活用して製品ポートフォリオを強化し、持続可能な競争優位性を確立しています。

  • 2024年6月:三菱電機株式会社は、ウェブベースのサービスを導入する計画を発表しました。このサービスでは、新型インバータの設計および検証に関する重要なデータを提供します。このインバータは、LV100絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)を3つ搭載したモジュールを特徴としています。主な目的は、太陽光発電システムなどの用途向けの高出力インバータの開発を顧客が迅速に行えるよう支援することです。特に、このプロトタイプインバータは、高出力インバータシステム用の標準サイズであるコンパクトな100mm×140mmのフレーム内に、3つの並列LV100産業用IGBTを収容したモジュールを搭載しています。
  • 2024年3月:インフィニオンテクノロジーズは、最新製品であるIAUCN08S7N013を発表し、新技術OptiMOS 7 80 VパワーMOSFETのデビューを飾りました。この新製品は、電力密度の大幅な向上を誇り、耐久性が高く大電流のSSO8 5 x 6 mm² SMDパッケージに収められています。急成長中の48V基板ネットアプリケーション向けに設計されたOptiMOS 7 80Vは、自動車分野に最適です。電気自動車(EV)や48Vモーター制御(EPS(電動パワーステアリング)などのアプリケーション、48Vバッテリースイッチ、電動二輪車や三輪車など)の自動車用DC-DCコンバータの厳格な基準を満たすよう設計されています。

日本ディスクリート半導体市場ニュース

  • 2024年5月:Infineon TechnologiesはSiC MOSFETの開発を拡大し、650V以下の電圧にも対応する。同社は今年初めに発表した第2世代(G2)技術に基づく最新製品、CoolSiCMOSFET 400Vファミリーを投入した。この新しいMOSFETラインナップは、AIサーバーのAC/DCステージ向けに設計されており、インフィニオンの最近のPSUロードマップに沿ったものです。サーバーアプリケーション以外にも、これらのデバイスはインバータモーター制御、太陽光発電およびエネルギー貯蔵システム、SMPS、さらには住宅用ソリッドステートサーキットブレーカーといった分野でも活躍が期待されています。
  • 2024年4月:富士電機株式会社(FE)は、最新製品であるHPnCSeriesを発表しました。この新製品ラインは、特に太陽光発電や風力発電システムの電力変換器などの用途向けに設計された大容量の産業用IGBTモジュールを特徴としています。これらの製品は、定格電流と定格電圧の両方を強化することで、電力変換器の容量を増大させ、設置面積を縮小します。これにより、発電コストの削減に役立ちます。

日本のディスクリート半導体業界の区分

ディスクリート半導体とは、電子機器の機能に不可欠な役割を果たす半導体素子です。市場規模の推定にあたっては、ダイオード、小信号トランジスタ、パワートランジスタ、整流器など、さまざまな種類のディスクリート半導体の売上高を追跡しています。これらの半導体は、自動車、家電、通信、産業など、日本全国のさまざまな最終用途分野で採用されています。

日本のディスクリート半導体市場は、種類(ダイオード、小信号トランジスタ、パワートランジスタ[MOSFETパワートランジスタ、IGBTパワートランジスタ、その他パワートランジスタ]、整流器、サイリスタ)とエンドユーザー業界(自動車、家電、通信、産業、その他エンドユーザー業界)によって区分されています。このレポートでは、上記のすべての区分について、市場規模と予測値(米ドル)を提供しています。

 

■目次

1. はじめに
1.1 調査の前提条件と市場定義
1.2 調査の範囲
2. 調査方法
3. エグゼクティブサマリー
4. 市場洞察
4.1 市場概要
4.2 業界の魅力 – ポーターのファイブフォース分析
4.2.1 供給業者の交渉力
4.2.2 消費者の交渉力
4.2.3 新規参入の脅威
4.2.4 代替製品の脅威
4.2.5 競争の激しさ
4.3 業界バリューチェーン分析
4.4 市場に与えるCOVID-19の後遺症およびその他のマクロ経済要因の影響
5. 市場力学
5.1 市場の推進要因
5.1.1 自動車およびエレクトロニクスセグメントにおける高エネルギーおよび電力効率デバイスに対する需要の高まり
5.1.2 グリーンエネルギー発電に対する需要の高まりが市場を牽引
5.2 市場の課題
5.2.1 集積回路に対する需要の高まり
6. 市場区分
6.1 タイプ別
6.1.1 ダイオード
6.1.2 小信号トランジスタ
6.1.3 パワートランジスタ
6.1.3.1 MOSFETパワー・トランジスタ
6.1.3.2 IGBTパワー・トランジスタ
6.1.3.3 その他のパワー・トランジスタ
6.1.4 整流器
6.1.5 サイリスタ
6.2 エンドユーザー別用途別
6.2.1 自動車
6.2.2 民生用電子機器
6.2.3 通信
6.2.4 産業用
6.2.5 その他のエンドユーザー業界
7. 競合状況
7.1 企業プロフィール*
7.1.1 オン・セミコンダクター・コーポレーション
7.1.2 インフィニオン・テクノロジーズAG
7.1.3 STマイクロエレクトロニクスNV
7.1.4 NXPセミコンダクターズNV
7.1.5 ダイオードズ・インコーポレイテッド
7.1.6 東芝電子デバイス&ストレージ株式会社
7.1.7 ABB Ltd.
7.1.8 Nexperia BV
7.1.9 Semikron Danfoss Holding A/S (Danfoss A/S)
7.1.10 Eaton Corporation PLC
7.1.11 Hitachi Energy Ltd. (日立製作所)
7.1.12 三菱電機株式会社
7.1.13 富士電機株式会社
7.1.14 アナログ・デバイセズ社
7.1.15 Vishay Intertechnology Inc.
7.1.16 ルネサスエレクトロニクス株式会社
7.1.17 ROHM Co. Ltd
7.1.18 Microchip Technology
7.1.19 Qorvo Inc.
7.1.20 Wolfspeed Inc.
7.1.21 Texas Instruments Inc.
7.1.22 リテルヒューズ社
7.1.23 WeEn セミコンダクターズ
8. 投資分析
9. 市場の将来


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