 | • レポートコード：MRCPM5J182 • 出版社/出版日：Persistence Market Research / 2024年12月 • レポート形態：英文、PDF、250ページ • 納品方法：Eメール • 産業分類：半導体電子 |
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レポート概要
Persistence Market Researchは最近、IGBT＆スーパージャンクションMOSFETの世界市場に関する包括的なレポートを発表しました。このレポートでは、推進要因、トレンド、機会、課題など、重要な市場力学を徹底的に評価し、市場構造に関する詳細な洞察を提供しています。
主な洞察：
• IGBT＆スーパージャンクションMOSFETの市場規模（2024年予測）：53億米ドル
• 市場価値予測（2033年予測）：167億米ドル
• 世界市場の成長率（2024年～2033年の年間平均成長率）：15.4
IGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場 – レポートの対象範囲：
IGBT＆スーパージャンクションMOSFETは、パワーエレクトロニクス、再生可能エネルギーシステム、電気自動車（EV）、産業用モーター、家電製品など、さまざまな用途で不可欠な存在となっています。 高効率、高速スイッチング能力、高電圧および高電流の処理能力の高さで知られるこれらのコンポーネントは、エネルギー効率の高いソリューションへの需要の高まり、パワー半導体技術の進歩、電気自動車およびハイブリッド車の普及率上昇により、市場成長を牽引しています。
市場成長の推進要因：
世界的な IGBT およびスーパー・ジャンクション MOSFET 市場は、エネルギー効率の高い電子デバイスやシステムに対するニーズの高まりなど、いくつかの主要な要因によって牽引されています。電気自動車やハイブリッド車の普及率が上昇しているため、これらのトランジスタがパワートレイン・システムに不可欠であることから、市場の需要が大幅に増加しています。さらに、風力や太陽光発電などの再生可能エネルギープロジェクトの拡大により、効率的な電力変換と管理ソリューションのニーズが高まり、市場が活性化しています。次世代IGBTや性能と信頼性を向上させたスーパー・ジャンクションMOSFETの開発など、技術の進歩も市場の成長をさらに後押ししています。
市場抑制要因：
有望な成長見通しにもかかわらず、IGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場は、高い製造コストや、既存のシステムにこれらのコンポーネントを統合することの複雑さといった課題に直面しています。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのワイドバンドギャップ半導体の開発は、特定の用途において優れた性能を提供することで、市場に潜在的な脅威をもたらす可能性があります。さらに、原材料価格の変動やサプライチェーンの混乱は、生産コストや供給に影響を与え、市場の安定性に影響を与える可能性があります。
市場機会：
電気自動車の普及と再生可能エネルギープロジェクトの拡大により、IGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場は大きな成長機会に恵まれています。 半導体材料と製造技術における革新は、これらのコンポーネントの性能と費用対効果を高め、市場成長の新たな道筋を生み出しています。 産業分野におけるデジタル化と自動化のトレンドの高まりも、市場関係者が先進的な電力管理ソリューションを開発する機会を提供しています。このダイナミックな市場で新たな機会を最大限に活用し、市場でのリーダーシップを維持するためには、戦略的パートナーシップ、研究開発への投資、用途特化型製品の導入が不可欠です。
レポートで回答される主な質問：
• 世界的にIGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場の成長を促進する主な要因とは？
• さまざまな分野でIGBT＆スーパージャンクションMOSFETの採用を促進している用途とは？
技術の進歩は、IGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場の競争状況をどのように変化させているか？
IGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場に貢献している主要企業はどこか、また、それらの企業は市場での関連性を維持するためにどのような戦略を採用しているか？
世界的なIGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場における新たなトレンドと将来の見通しは？
競争力情報および事業戦略：
Infineon Technologies AG、三菱電機株式会社、富士電機株式会社、STMicroelectronics、東芝株式会社など、世界のIGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場をリードする企業は、技術革新、製品差別化、戦略的提携に重点的に取り組み、競争優位性を獲得しています。これらの企業は、多様な用途のニーズに応えるため、次世代のIGBTやスーパー・ジャンクションMOSFETなど、先進的な半導体ソリューションの開発に研究開発投資を行っています。自動車メーカー、再生可能エネルギープロジェクト開発企業、産業機器メーカーとの提携により、市場へのアクセスが容易になり、技術の採用が促進されます。 持続可能性、エネルギー効率、費用対効果を重視することで、市場の成長が促進され、顧客価値が高まります。
主な企業プロフィール：
• Infineon Technologies AG
• Vishay Intertechnology Inc.,
• Mitsubishi Electric Corporation
• STMicroelectronics N.V.
• Fuji Electric Co. Ltd.
• Toshiba Corporation
• Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.
• Onsemi
• Semikron Elektronik GmbH & Co. KG
• ABB Ltd
世界の IGBT およびスーパー・ジャンクション MOSFET 市場の区分：
製品種類別：
• IGBT
• SJMOSFET
地域別：
• 北米
• ヨーロッパ
• アジア太平洋
• ラテンアメリカ
• 中東およびアフリカ
1. エグゼクティブサマリー
1.1. 世界市場の見通し
1.2. 需要サイドの動向
1.3. 供給サイドの動向
1.4. テクノロジーロードマップ分析
1.5. 分析と提言
2. 市場概要
2.1. 市場カバー範囲 / 分類
2.2. 市場定義 / 範囲 / 制限
3. 市場背景
3.1. 市場力学
3.1.1. 推進要因
3.1.2. 抑制要因
3.1.3. 機会
3.1.4. 傾向
3.2. シナリオ予測
3.2.1. 楽観的シナリオにおける需要
3.2.2. 可能性の高いシナリオにおける需要
3.2.3. 保守的なシナリオにおける需要
3.3. 機会マップ分析
3.4. 製品ライフサイクル分析
3.5. サプライチェーン分析
3.5.1. 供給サイドの参加者とその役割
3.5.1.1. 生産者
3.5.1.2. 中間レベルの参加者（トレーダー／エージェント／ブローカー
3.5.1.3. 卸売業者および流通業者
3.5.2. サプライチェーンにおける付加価値とノードで創出される価値
3.5.3. 原材料サプライヤーのリスト
3.5.4. 既存および潜在的な買い手のリスト
3.6. 投資実現可能性マトリクス
3.7. バリューチェーン分析
3.7.1. 利益率分析
3.7.2. 卸売業者および流通業者
3.7.3. 小売業者
3.8. PESTLE 分析およびポーターの分析
3.9. 規制環境
3.9.1. 主要地域別
3.9.2. 主要国別
3.10. 地域別親市場の見通し
3.11. 生産と消費の統計
3.12. 輸入と輸出の統計
4. グローバルIGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場分析 2019年～2023年および予測、2024年～2033年
4.1. 市場規模の価値（10億米ドル）と数量（単位）の分析、2019年～2023年
4.2. 現在の市場規模の価値（10億米ドル）と数量（単位）の予測、2024年～2033年
4.2.1. 前年比成長トレンド分析
4.2.2. 絶対$機会分析
5. グローバルIGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場分析 2019年～2023年および予測 2024年～2033年、製品種類別
5.1. はじめに / 主な調査結果
5.2. 製品種類別 市場規模 価値（十億米ドル）＆数量（単位）分析 2019年～2023年
5.3. 製品種類別 市場規模（金額：十億米ドル）＆数量（単位）の現状および将来予測分析、2024年～2033年
5.3.1. IGBT
5.3.1.1. ディスクリート IGBT
5.3.1.2. IGBT モジュール
5.3.2. SJMOSFET
5.3.2.1. ディスクリート型スーパー・ジャンクションMOSFET
5.3.2.2. スーパー・ジャンクションMOSFETモジュール
5.4. 製品種類別、2019年から2023年の年間成長率トレンド分析
5.5. 製品種類別、2024年から2033年の絶対ドル機会分析
6. 用途別、2019年～2023年の世界IGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場分析と2024年～2033年の予測
6.1. はじめに / 主な調査結果
6.2. 用途別、2019年～2023年の市場規模（金額：十億米ドル）＆数量（単位）の推移分析
6.3. 用途別：2024年から2033年の市場規模（金額単位：10億米ドル）＆数量（単位）の現状と将来の見通し分析
6.3.1. IGBT
6.3.1.1. UPS
6.3.1.2. 風力タービン
6.3.1.3. PVインバーター
6.3.1.4. 鉄道用トラクション
6.3.1.5. 民生用途
6.3.1.6. EV/HEV
6.3.2. SJMOSFET
6.3.2.1. UPS
6.3.2.2. 風力タービン
6.3.2.3. PVインバータ
6.3.2.4. 鉄道用トラクション
6.3.2.5. 民生用アプリケーション
6.3.2.6. EV/HEV
6.3.2.7. モータードライブ
6.3.2.8. 産業用アプリケーション
6.3.2.9. コンバータ/アダプタ/充電器
6.3.2.10. 照明
6.3.2.11. その他（サーバー、ネットワーク機器など）
6.4. 用途別、2019年～2023年の前年比成長トレンド分析
6.5. 用途別、2024年～2033年の絶対ドル機会分析
7. 世界のIGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場分析 2019年～2023年および予測 2024年～2033年、地域別
7.1. はじめに
7.2. 地域別市場規模（単位：10億米ドル）＆数量（単位：個）の推移 2019年～2023年
7.3. 地域別市場規模（単位：10億米ドル）＆数量（単位：個）の現状分析と予測 2024年～2033年
7.3.1. 北米
7.3.2. ラテンアメリカ
7.3.3. ヨーロッパ
7.3.4. アジア太平洋
7.3.5. 中東＆アフリカ
7.4. 地域別市場魅力度分析
8. 北米 IGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場分析 2019年～2023年および予測 2024年～2033年、国別
8.1. 市場分類別 市場規模（US$ 十億）および数量（単位）推移分析 2019年～2023年
8.2. 市場分類別 市場規模（US$ 十億）および数量（単位）予測 2024年～2033年
8.2.1. 国別
8.2.1.1. 米国
8.2.1.2. カナダ
8.2.2. 製品種類別
8.2.3. 用途別
8.3. 市場の魅力分析
8.3.1. 国別
8.3.2. 製品種類別
8.3.3. 用途別
8.4. 主な所見
9. ラテンアメリカ IGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場分析 2019年～2023年および予測 2024年～2033年、国別
9.1. 市場分類別 市場規模（US$十億）＆数量（単位）推移分析 2019年～2023年
9.2. 市場分類別市場規模予測（単位：百万米ドル）および数量（単位：台） 2024年～2033年
9.2.1. 国別
9.2.1.1. ブラジル
9.2.1.2. メキシコ
9.2.1.3. その他の中南米諸国
9.2.2. 製品種類別
9.2.3. 用途別
9.3. 市場の魅力分析
9.3.1. 国別
9.3.2. 製品種類別
9.3.3. 用途別
9.4. 主な結論
10. ヨーロッパ IGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場分析 2019年～2023年および予測 2024年～2033年、国別
10.1. 市場分類別 市場規模（US$ 十億）および数量（単位）推移分析 2019年～2023年
10.2. 市場分類別 市場規模（US$ 十億）および数量（単位）予測 2024年～2033年
10.2.1. 国別
10.2.1.1. ドイツ
10.2.1.2. 英国
10.2.1.3. フランス
10.2.1.4. スペイン
10.2.1.5. イタリア
10.2.1.6. ヨーロッパのその他地域
10.2.2. 製品種類別
10.2.3. 用途別
10.3. 市場の魅力分析
10.3.1. 国別
10.3.2. 製品種類別
10.3.3. 用途別
10.4. 主な結論
11. アジア太平洋地域 IGBT およびスーパー・ジャンクション MOSFET 市場分析 2019年～2023年および予測 2024年～2033年、国別
11.1. 市場分類別 市場規模（US$ 十億）および数量（単位）推移分析 2019年～2023年
11.2. 市場分類別 市場規模（US$ 十億）および数量（単位）予測 2024年～2033年
11.2.1. 国別
11.2.1.1. 中国
11.2.1.2. 日本
11.2.1.3. 韓国
11.2.1.4. シンガポール
11.2.1.5. タイ
11.2.1.6. インドネシア
11.2.1.7. オーストラリア
11.2.1.8. ニュージーランド
11.2.1.9. アジア太平洋地域その他
11.2.2. 製品種類別
11.2.3. 用途別
11.3. 市場魅力度分析
11.3.1. 国別
11.3.2. 製品種類別
11.3.3. 用途別
11.4. 主な結論
12. 中東およびアフリカ IGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場分析 2019年～2023年および予測 2024年～2033年、国別
12.1. 市場分類別 市場規模（US$十億）および数量（単位）推移分析 2019年～2023年
12.2. 市場分類別市場規模予測（単位：百万米ドル）、2024年～2033年
12.2.1. 国別
12.2.1.1. GCC諸国
12.2.1.2. 南アフリカ
12.2.1.3. イスラエル
12.2.1.4. 中東およびアフリカのその他地域
12.2.2. 製品種類別
12.2.3. 用途別
12.3. 市場の魅力分析
12.3.1. 国別
12.3.2. 製品種類別
12.3.3. 用途別
12.4. 主な結論
13. 主要国 IGBT およびスーパー・ジャンクション MOSFET 市場分析
13.1. 米国
13.1.1. 価格分析
13.1.2. 市場シェア分析、2024年
13.1.2.1. 製品種類別
13.1.2.2. 用途別
13.2. カナダ
13.2.1. 価格分析
13.2.2. 市場シェア分析、2024年
13.2.2.1. 製品種類別
13.2.2.2. 用途別
13.3. ブラジル
13.3.1. 価格分析
13.3.2. 市場シェア分析、2024年
13.3.2.1. 製品種類別
13.3.2.2. 用途別
13.4. メキシコ
13.4.1. 価格分析
13.4.2. 市場シェア分析、2024年
13.4.2.1. 製品種類別
13.4.2.2. 用途別
13.5. ドイツ
13.5.1. 価格分析
13.5.2. 市場シェア分析、2024年
13.5.2.1. 製品種類別
13.5.2.2. 用途別
13.6. 英国
13.6.1. 価格分析
13.6.2. 市場シェア分析、2024年
13.6.2.1. 製品種類別
13.6.2.2. 用途別
13.7. フランス
13.7.1. 価格分析
13.7.2. 市場シェア分析、2024年
13.7.2.1. 製品種類別
13.7.2.2. 用途別
13.8. スペイン
13.8.1. 価格分析
13.8.2. 市場シェア分析、2024年
13.8.2.1. 製品種類別
13.8.2.2. 用途別
13.9. イタリア
13.9.1. 価格分析
13.9.2. 市場シェア分析、2024年
13.9.2.1. 製品種類別
13.9.2.2. 用途別
13.10. 中国
13.10.1. 価格分析
13.10.2. 市場シェア分析、2024年
13.10.2.1. 製品種類別
13.10.2.2. 用途別
13.11. 日本
13.11.1. 価格分析
13.11.2. 市場シェア分析、2024年
13.11.2.1. 製品種類別
13.11.2.2. 用途別
13.12. 韓国
13.12.1. 価格分析
13.12.2. 市場シェア分析、2024年
13.12.2.1. 製品種類別
13.12.2.2. 用途別
13.13. シンガポール
13.13.1. 価格分析
13.13.2. 市場シェア分析、2024年
13.13.2.1. 製品種類別
13.13.2.2. 用途別
13.14. タイ
13.14.1. 価格分析
13.14.2. 市場シェア分析、2024年
13.14.2.1. 製品種類別
13.14.2.2. 用途別
13.15. インドネシア
13.15.1. 価格分析
13.15.2. 市場シェア分析、2024年
13.15.2.1. 製品種類別
13.15.2.2. 用途別
13.16. オーストラリア
13.16.1. 価格分析
13.16.2. 市場シェア分析、2024年
13.16.2.1. 製品種類別
13.16.2.2. 用途別
13.17. ニュージーランド
13.17.1. 価格分析
13.17.2. 市場シェア分析、2024年
13.17.2.1. 製品種類別
13.17.2.2. 用途別
13.18. GCC諸国
13.18.1. 価格分析
13.18.2. 市場シェア分析、2024年
13.18.2.1. 製品種類別
13.18.2.2. 用途別
13.19. 南アフリカ
13.19.1. 価格分析
13.19.2. 市場シェア分析、2024年
13.19.2.1. 製品種類別
13.19.2.2. 用途別
13.20. イスラエル
13.20.1. 価格分析
13.20.2. 市場シェア分析、2024年
13.20.2.1. 製品種類別
13.20.2.2. 用途別
14. 市場構造分析
14.1. 競争ダッシュボード
14.2. 競争ベンチマーキング
14.3. 主要企業の市場シェア分析
14.3.1. 地域別
14.3.2. 製品種類別
14.3.3. 用途別
15. 競争分析
Infineon Technologies AG
Vishay Intertechnology Inc.
Mitsubishi Electric Corporation
STMicroelectronics N.V.
Fuji Electric Co. Ltd.
Toshiba Corporation
Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.
Onsemi
Semikron Elektronik GmbH & Co. KG
ABB Ltd.
16. 前提条件および略語
17. 調査方法
Key Insights:
• IGBT and Super Junction MOSFET Market Size (2024E): USD 5.3 Billion
• Projected Market Value (2033F): USD 16.7 Billion
• Global Market Growth Rate (CAGR 2024 to 2033): 15.4%
IGBT and Super Junction MOSFET Market - Report Scope:
IGBTs and Super Junction MOSFETs are vital in various applications, including power electronics, renewable energy systems, electric vehicles (EVs), industrial motors, and consumer electronics. Known for their high efficiency, fast switching capabilities, and robustness in handling high voltages and currents, these components are driving market growth due to the increasing demand for energy-efficient solutions, advancements in power semiconductor technologies, and the rising adoption of electric and hybrid vehicles.
Market Growth Drivers:
The global IGBT and Super Junction MOSFET market is driven by several key factors, including the growing need for energy-efficient electronic devices and systems. The increasing penetration of electric and hybrid vehicles significantly boosts market demand, as these transistors are integral to their powertrain systems. Additionally, the expansion of renewable energy projects, such as wind and solar power installations, fuels the market due to the need for efficient power conversion and management solutions. Technological advancements, such as the development of next-generation IGBTs and Super Junction MOSFETs with improved performance and reliability, further propel market growth.
Market Restraints:
Despite promising growth prospects, the IGBT and Super Junction MOSFET market faces challenges related to high manufacturing costs and the complexity of integrating these components into existing systems. The development of wide-bandgap semiconductors, such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), poses a potential threat to the market by offering superior performance in certain applications. Moreover, fluctuations in raw material prices and supply chain disruptions can impact production costs and availability, affecting market stability.
Market Opportunities:
The IGBT and Super Junction MOSFET market presents significant growth opportunities driven by the increasing adoption of electric vehicles and the expansion of renewable energy projects. Innovations in semiconductor materials and fabrication techniques enhance the performance and cost-effectiveness of these components, creating new avenues for market growth. The growing trend of digitalization and automation in industrial sectors also provides opportunities for market players to develop advanced power management solutions. Strategic partnerships, investments in R&D, and the introduction of application-specific products are essential to capitalize on emerging opportunities and sustain market leadership in this dynamic landscape.
Key Questions Answered in the Report:
• What are the primary factors driving the growth of the IGBT and Super Junction MOSFET market globally?
• Which applications are driving the adoption of IGBT and Super Junction MOSFETs across different sectors?
• How are technological advancements reshaping the competitive landscape of the IGBT and Super Junction MOSFET market?
• Who are the key players contributing to the IGBT and Super Junction MOSFET market, and what strategies are they employing to maintain market relevance?
• What are the emerging trends and future prospects in the global IGBT and Super Junction MOSFET market?
Competitive Intelligence and Business Strategy:
Leading players in the global IGBT and Super Junction MOSFET market, including Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Corporation, Fuji Electric Co., Ltd., STMicroelectronics, and Toshiba Corporation, focus on innovation, product differentiation, and strategic partnerships to gain a competitive edge. These companies invest in R&D to develop advanced semiconductor solutions, including next-generation IGBTs and Super Junction MOSFETs, catering to diverse application needs. Collaborations with automotive manufacturers, renewable energy project developers, and industrial equipment manufacturers facilitate market access and promote technology adoption. Emphasis on sustainability, energy efficiency, and cost-effectiveness drives market growth and enhances customer value.
Key Companies Profiled:
• Infineon Technologies AG
• Vishay Intertechnology Inc.,
• Mitsubishi Electric Corporation
• STMicroelectronics N.V.
• Fuji Electric Co. Ltd.
• Toshiba Corporation
• Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.
• Onsemi
• Semikron Elektronik GmbH & Co. KG
• ABB Ltd
Global IGBT and Super Junction MOSFET Market Segmentation:
By Product Type:
• IGBT
• SJMOSFET
By Region:
• North America
• Europe
• Asia Pacific
• Latin America
• Middle East & Africa
